BAS16TT1G

BAS16TT1G

BAS16TT1G es un diodo semiconductor de conmutación de señal.

Descripción

BAS16TT1G es diodo semiconductor de conmutación de señal fabricado de silicio, desarrollado por la firma de componentes electrónicos ON Semiconductor diseñado para montaje superficial donde el reducido espacio de la placa impresa es muy importante. Este rectificador tiene un rango de temperatura de funcionamiento de -55 °C a 150 °C. Su máxima corriente continua directa es de 0.2 A.

Principales características

Tensión inversa repetitiva máxima (Vr): 100V

Tensión directa máxima (Vf): 1.25V

Tiempo de recuperación máxima inversa (trr): 6ns

Corriente directa máxima transitoria (Ifsm): 500mA

Potencia de disipación máxima (Pd): 360 mW

Encapsulado: SOT-416

Aplicaciones

Este dispositivo electrónico se puede utilizar en la rectificación de alta velocidad como los receptores de radiofrecuencia, además dentro de las aplicaciones también se incluyen la conmutación de alta velocidad, protección contra polaridad invertida, y en la industria de las telecomunicaciones.

Enlaces externos

https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BAS16TT1-D.PDF

http://us.100y.com.tw/viewproduct.asp?MNo=15973

Fuente

Newark Electronics, Número 126. Cornell University.2009