Transistor C2062B
| ||||||||
Transistor C2062B(ECB). Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Darlington, Gen Purp Amp
- Corriente máxima de colector (Ic) 0.5 Ampere
- De colector a base (CBO) 100 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 100 Voltios
- De emisor a base (EBO) 12 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 10000 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.625 (Watts)
- Frecuencia MHz 200 Min
Transistores equivalentes
- C2062B(ECB), C2062(ECB)
Usos
Fuentes
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
